FQD4N25TF
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | FQD4N25TF |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.75Ohm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (max) | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 3A (Tc) |
Grundproduktnummer | FQD4 |
FQD4N25TF Einzelheiten PDF [English] | FQD4N25TF PDF - EN.pdf |
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FQD4N50S FAIRCHI
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MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
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FQD4N50 FSC
FQD4N25 FAIRCHI
2024/04/5
2024/01/20
2024/06/3
2024/02/22
FQD4N25TFonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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